首页1、铖昌科技：相控阵芯片核心供应商之一
公司市场定位清晰，技术积累深厚，产品水平先进，是国内从事相控阵 T/R 芯 片研制的主要企业，是微波毫米波射频集成电路创新链的典型代表。铖昌科技成立 于 2010 年 11 月，是一家以微波毫米波模拟相控阵 T/R 芯片研发、生产、销售和技 术服务为主营业务的公司，是国内少数能够提供相控阵 T/R 芯片完整解决方案的企 业之一。主要向市场提供基于 GaN、GaAs 和硅基工艺的系列化产品以及相关的技术 解决方案。公司主要产品分为功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、收发前端芯片、 幅相控制芯片和无源类芯片等，频率可覆盖 L 波段至 W 波段。产品已应用于探测、 遥感、通信、导航、电子对抗等领域，在星载、机载、舰载、车载和地面相控阵雷 达中列装，亦可应用至卫星互联网、5G 毫米波通信、安防雷达等场景。
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公司实际控制人为刘建伟先生。据公司 2022 年年报，公司第一大控股股东为深 圳和而泰智能控制股份有限公司，刘伟健先生为深圳和而泰智能控制股份有限公司 董事长、总裁，持有和而泰 16.24%股份，为浙江铖昌科技股份有限公司实际控制人。
1.1、相控阵T/R芯片产品是相控阵雷达最核心的元器件
公司主要产品可分为功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、收发前端芯片、幅 相控制芯片和无源类芯片等五类。具体产品包括 GaAs/GaN 功率放大器芯片、GaAs 低噪声放大器芯片、GaAs 收发前端芯片、收发多功能放大器芯片、幅相多功能芯片、 模拟波束赋形芯片、数控移相器芯片、数控衰减器芯片、功分器芯片、限幅器芯片 等。公司可根据客户不同的应用需求开展设计，产品具备低功耗、高效率、低成本、 高集成度等特点。
放大器类芯片。公司功率放大器芯片主要采用 GaAs、 GaN 工艺，具有宽 禁带、高电子迁移率、高压高功率密度的优势，研制多种频段的功率放大 器芯片、低噪声放大器芯片、收发多功能芯片，具备高性能、高集成度和 高可靠性等特点。对于幅相控制类芯片，公司研制的产品采用 GaAs 和硅 基两种工艺，分别具备不同的技术特点，可适应于客户的各类应用场景， 其中 GaAs 工艺芯片产品在功率容量、功率附加效率、噪声系数等指标上 具备优势，硅基工艺芯片产品则在集成度、低功耗和量产成本方面具备显 著优势。
幅相控制类芯片。公司研制的幅相控制类芯片产品采用 GaAs 和硅基两种工 艺，分别具备不同的技术特点，可适应于客户的各类应用场景：GaAs 工艺 芯片产品在功率容量、功率附加效率、噪声系数等指标上具备优势；硅基 工艺芯片产品则在集成度、低功耗和量产成本方面具备显著优势。 无源类芯片。无源芯片是指不需要使用有源器件的射频芯片，公司研制的 无源芯片主要有开关芯片、功分器芯片、限幅器芯片等。无源类芯片产品 具备尺寸小、插损低等特点。
1.2、增值税退税、所得税费用及研发投入增加扰动业绩
2022 年公司持续拓展业务布局，推进各项经营管理工作，整体经营业绩保持 较好的增长趋势，实现营业收入2.78亿元，较上年同期增长 31.69%；实现归属于 上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润1.12亿元，较上年同期增长 6.34%； 归属于上市公司股东的净利润 1.33亿元，较上年同期有所下降，主要原因系 2021 年非经常性损益金额合计为 5,452.35 万元（当期收到增值税退税3,318.54万元）， 2022 年度非经常性损益为 2,061.18 万元所致。
一方面，公司 2022 年度所得税费用为 947.26 万元，相比 2021 年度所得税费 用-538.91 万元，同比增加 1,486.17 万元，主要因公司享受重点集成电路设计企 业所得税税收优惠 2021 年度免征所得税，2022 年度所得税税率为 10%所致。剔除 所得税费用的影响，公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润相比 上年同期增长 20.02%。另一方面，因公司加大研发投入，2022 年度研发费用为 4,328.26 万元，较去年同比增长 45.29%，研发投入占营业收入比例 15.58%；同时 地面相控阵雷达领域 T/R 芯片销售额增加，相比 2021 年度占营业收入比例提升， 公司产品结构发生变动，因此相比 2021 年度毛利率，公司 2022 年度毛利率存在 一定波动。
2、相控阵雷达应用广阔打开需求
机械扫描雷达因惯性大、目标容量有限，已无法满足对高速飞机、导弹和人造 地球卫星的探测，无法适应更大的覆盖空域、更高的数据率以及多目标的环境，相 控阵雷达则在新的应用环境下表现出了优异的性能。相控阵雷达（Phased Array Radar，PAR）即相位控制电子扫描阵列雷达，利用大量个别控制的小型天线元件排 列成天线阵面，每个天线单元都由独立的开关控制，基于惠更斯原理通过控制各天 线元件发射的时间差，就能合成不同相位（指向）的主波束，而且在两个轴向上均 可进行相位变化；与托马斯﹒杨的双缝实验相似，相控阵各移相器发射的电磁波以 建设性干涉原理强化并合成一个接近笔直的雷达主波瓣，而旁瓣则由于干涉相消而 大幅减低。
2.1、T/R芯片：相控阵雷达核心组成，芯片成本占比高
采用 T/R 组件，使有源相空阵雷达具有平均功率高、作用距离远、效率高、可 靠性高等优点。目前典型的相控阵雷达共有无源相控阵列及有源相控阵列两种组成 形式。无源相控阵列共用一个或者几个发射机和接收机，有源相控阵列中每个天线 阵元有一个发射/接收装置（称为 T/R 组件）。有源相控阵雷达与无源相控阵雷达的 主要区别就是，其射频功率的发射和接收通过阵列或子阵列中的发射/接收（T/R） 组件实现，“源”其实指的就是“有能力独立发射电磁波”。
T/R 组件作为有源相控阵雷达的射频前端，是集数字电路和模拟电路于一体的 复杂电子系统。其基本工作原理：发射信号时，T/R 组件的控制电路接收来自雷达的时序信号，射频开关切换到发射状态，同时根据指令分配移相和衰减位数，发射 信号经过公共支路移相和调幅，发射支路放大后传送给天线单元。接收信号时同理， T/R 组件的控制电路接收来自雷达的时序信号，射频开关切换到接收状态，同时根据 指令分配移相和衰减位数，天线接收自由空间中的电磁波，接收信号经过限幅器后 由低噪声放大器进行低噪声放大，再由公共支路完成移相和调幅，此后信号由信号 处理机进行处理。
传统的 T/R 组件通常是各个芯片实现各自独立的功能，为了实现有源相控阵的 性能指标，仅单个通道就需要多种芯片，例如，功放、低噪放、功分器和移相器芯 片等。根据实现方式和功能的不同，T/R 组件中的芯片可以划分成三个 MMIC 芯片组 和一个数字大规模集成电路（VLSI）。开关、移相器、衰减器和增益放大器一起组成 幅相控制芯片组，增益放大器的作用是补偿损耗低噪声放大器和限幅器组成接收芯 片组功率放大器和驱动放大器（中功率放大器）组成发射芯片组；波控电路制成数 字控制电路芯片。在通信系统的发射通道中，调制后的信号通过混频和滤波后被射频功率放 大器放大，将满足发射要求的信号功率传输到天线，最后经由天线将信号 发射，可以看出功率放大芯片的性能在一定程度上决定了射频收发系统的 品质。
幅相控制多功能芯片是 T/R 组件的核心器件，是一种将输入信号的幅度和 相位转变成新的特定的幅度和相位的功能电路。幅相控制多功能芯片通常 集成了 T/R 组件中的移相器、衰减器、开关和放大器等单功能电路，利用 波束控制电路提供的数字信号控制半导体器件的导通和关断，可以调节微波信号的幅度和相位，还可以控制微波信号经过接收通道或发射通道。微波射频开关是雷达 T/R 收发组件的重要组成部分，也是雷达发射机/接收 机模块执行时分双工的关键组件。在卫星有效载荷中，微波射频开关用于在主子系统和冗余子系统之间进行选择，实现不同路径上接收信号和发送 信号的低损耗高隔离；在数字衰减器和移相器中，微波射频开关用于切换 衰减/相移参考路径，实现信号在不同路径上的传输。
相控阵系统一般占雷达系统总成本的近 50％，组件占相控阵成本的 45％左右， 其中，射频芯片占比最大。21 世纪初，T/R 组件从“砖块”发展到“瓦片”型，体 积、重量、成本均下降为“砖块”的 1/5;2007 年，发展到 4 侧无引脚扁平封装，体 积下降为“瓦片”的 1/5，重量下降为原“瓦片”的 1/20，成本下降为“瓦片”的 1/5;2008 年，从二维面板发展到三维面板/集成电路，体积下降为扁平封装的 1/3、 重量下降为扁平封装的 1/2、成本下降为扁平封装的 1/2。
2.2、星载、机载、弹载、船载及车载等领域市场潜力大
相控阵雷达在频宽、信号处理和冗余设计上都比传统无源及机械扫描雷达具有 更大的优势，因此在探测、通信、导航、电子对抗等领域获得广泛应用。 随着航天技术的不断发展，对搭载在卫星平台上的天线要求具有多功能、 高传输速率和大功率已是比较普遍的现象，对数据传输的容量要求也越来 越高，所以传统的小口径、低增益天线形式已越来越无法满足卫星平台的 应用要求。并且，传统的天线依赖伺服机构通过机械扫描来实现天线转向， 天线惯性大、速度慢，伺服机构的应用又往往导致可靠性下降、重量增加等附加问题。以卫星为平台的有源相控阵天线具有口径大、重量轻的特点， 满足星载装备结构的要求；同时还具有高增益、作用距离远、波束形状捷 变和多波束等特点，满足星载信息装备性能的要求。
机载有源相控阵(AESA)雷达是目前国际上最为先进的一种火控雷达，其具 有目标追踪/搜索能力、高分辨率、强电子干扰和高数据通信能力等优势， 远远超过了传统机械扫描体制的雷达。可以预见，机载 AESA 雷达的发展将 会随着新型战机的不断推出而进入一个崭新的阶段，其应用更被说成为未 来军用飞机必备的标准配置，以适应未来空战的需求。
导弹的使用增大了战争的突然性和破坏性，加快了战役进程，使得战场的 规模和范围扩大，彻底改变了以往常规战争的时空观念，引导了现代战争 的技术装备和战略战术上的重大变革。高性能隐身战机、预警机、电磁干 扰、低空突防等高科技技术装备和战略战术的陆续出现和发展，使得导弹 面临日益复杂的战场环境的挑战。精确制导技术进一步发展，更是对导引 头雷达系统的功能提出了一系列要求。如要求导引头雷达具有更强的抗干 扰能力，能识别和跟踪距离远，速度快，数量多的目标，而且天线波束指 向能灵活变化，高可靠性等等。传统的机械扫描天线已不能满足这些要求， 而具备上述诸多优势的相控阵导引头雷达成为精确制导技术的发展方向。
随着科技的发展，现代海战已进入电子化和信息化的阶段。舰载雷达不仅是现代舰船防御作战系统的重要组成部分，而且还是舰船的关键探测装备。 而舰载雷达性能的优劣对整个作战起到至关重要的作用，甚至会影响到全 部海域、空域作战体系的完备性，对一个国家的海事装备具有全面的制约 作用。舰载相控阵雷达可以同时实现搜索、识别、跟踪、制导和探测等功 能，能同时监视和跟踪多个目标，抗干扰性能好，可靠性高。
天线车能够实现快速部署与转移，阵地适应性强。地面机动雷达天线阵面 一般安装在专用车辆上，天线阵面与车辆为一体化设计，即为天线车；天 线阵面也称为车载 相控阵天线，通过旋转、折叠、倒竖、快速拼接等动作实现快速架设与撤收。为实现 远程预警、精确跟踪与远程截获，车载有源 相控阵天线通常具备的共同特点为阵元数 多、阵面口径大等。
根据 Grandview Research 研究报告，2020 年全球雷达市场规模为 314 亿美元， 全球军用雷达市场规模为 192 亿美元，约占全球雷达市场份额的 61.15%；预计 2025 年全球雷达市场规模将达到 380 亿美元，按此比例测算，预计 2025 年全球军用雷达 市场规模可达到 232 亿美元。根据立鼎产业研究院数据，我国军用雷达市场快速增长，相控阵雷达应用逐步 普及。随着国防装备费用的持续投入，我国军用雷达市场保持快速增长，预计 2025 年市场达到 573 亿元。
3、铖昌科技专注打磨技术及丰富产品矩阵
3.1、产品端：产品矩阵丰富，可满足下游多样化需求
丰富的产品可以满足各领域下游客户的需求。相控阵 T/R 芯片是相控阵雷达的 核心元器件，应用场景多元，包括星载、地面、车载舰载相控阵雷达等，不同应用 场景对产品的性能要求截然不同，企业需要根据不同的应用场景设计符合客户需求 的产品，这对新进企业的产品开发和设计能力提出了很高的要求。经过多年研发， 公司产品已广泛应用于星载、机载、舰载、车载及地面相控阵雷达等多种型号装备 中，特别是公司推出的星载相控阵 T/R 芯片系列产品在某系列卫星中实现了大规模 应用，芯片的应用提升了卫星雷达系统的整体性能，达到了国际先进水平。
与此同时，公司加快拓展新兴领域业务。 卫星互联网领域，公司充分发挥技术创新优势，成功推出星载和地面用卫星 互联网相控阵 T/R 芯片全套解决方案。 Ku 波段（12~18GHz）主要应用于卫星通信领域，尤其是用于直播卫星电视广播 的下行链路，以及用于国际空间站（ISS）通信的跟踪数据中继卫星和星链（SpaceX Starlink）卫星等特定应用，此外 Ku 波段雷达还常用于机场表面探测设备（ASDE）。 相比于频率更低的频段，Ku 波段波长更短，因此天线物理尺寸更小，分辨率也更高。 近些年由于有源相控阵技术的发展，Ku 波段的相控阵 T/R 套片需求也日益增长。
公司针对应用于 Ku 波段的T/R套片产品进行了深入的研究，开发了 GaAs/GaN 功放芯片、GaAs 收发前端芯片、GaAs低噪放/限幅低噪放芯片、GaAs 限幅器芯片、 GaAs/硅基波束赋形芯片等，套片产品拥有灵活的设计架构，覆盖多种功率量级，具 有优异的性能指标。
毫米波通信方面，5G 毫米波通信方面，公司已经和主流通信设备生产商建 立了良好的合作关系，支撑 5G 毫米波相控阵 T/R 芯片国产化。 目前公司产品已覆盖 L~W 波段各类典型应用，产品涵盖 GaN/GaAs 功率放大器、 GaAs 低噪声放大器、GaN/GaAs 收发前端芯片、GaAs/硅基幅相控制一体化多功能芯 片、GaAs/GaN 开关芯片、GaAs 限幅器芯片等全套相控阵 T/R 前端芯片产品，并已成 功应用于各类星载、机载、陆基平台，累计芯片出货量近百万颗。在出货量最大、 应用最为广泛的 X 波段 T/R 套片产品方面，公司在研发和生产方面积累了丰富的经 验，套片产品拥有灵活的设计架构，覆盖多种功率量级，具有优异的性能指标。
3.2、技术端：专注研发，致力于自主可控及降低成本
公司自成立以来，专注于相控阵 T/R 芯片设计开发，经过多年的研究和技术攻 关，形成了多项核心技术。公司自成立以来一直致力于推进相控阵 T/R 芯片的自主可控。公司在产品研发过程中，把握行业发展趋势并提前进行技术布局，聚焦复杂应 用场景下相控阵 T/R 芯片先进架构方案设计及产品研发，研发出多项自主可控核心 技术。公司产品涵盖整个固态微波产品链，包括功率放大器芯片、低噪声放大器、 收发多功能芯片、幅相控制芯片、模拟波束赋形芯片、数控衰减器、数控移相器、 数控延时器、限幅器、功分器、开关芯片等十余类高性能微波毫米波模拟相控阵芯 片，工艺制程范围在 40nm-500nm 间，能够提供各典型频段的微波毫米波模拟相控阵 系统芯片解决方案。
通过高精度测试及模型修正、可靠性提升及试验验证等技术手 段， 2017 年成功推出星载相控阵 T/R 芯片，在某型号卫星中已实现大规模应用。 目前，公司已完成该型号组网卫星的多颗卫星配套相控阵 T/R 芯片的出货，产品已 在卫星上稳定运行较长时间，未出现异常问题。公司获得了卫星总装单位对公司星 载产品的应用证明，对公司产品高度评价：“该系列芯片的研制对卫星系统成功研制 并达到指标要求意义重大，对加快我国星载大规模有源相控阵领域发展具有里程碑 的作用”“芯片的功率附加效率和接收功耗控制水平属国际领先”。
公司所研制的芯片兼具低成本及高性能等特点，产品通过严格质量认证，质量 等级可达宇航级。公司经过多年技术与行业积累，突破了相控阵 T/R 芯片在性能、 体积、成本等问题上面临的挑战，掌握了实现低功耗、高效率、低成本、高集成度 的相控阵 T/R 芯片的核心技术，形成多项经过客户使用验证的关键核心技术，包括 高性能微波功率放大器设计技术、相控阵芯片高成品率分析及优化技术、高性能低 噪放芯片技术、基于 MESFET 器件的限幅器电路设计技术、拟波束赋形芯片技术、宽 频带幅度相位电路设计技术等。 此外，公司募投项目“新一代相控阵 T/R 芯片研发及产业化项目”也将聚焦技 术及规模化生产两大方向，以降低相控阵 T/R 芯片的成本。
4、财务分析
4.1、收入利润分析：业务规模逐渐扩大
公司业务规模不断扩大，营业收入持续上升。2018-2022 年，公司实现营业收 入分别为 1.00 亿元、1.33 亿元、1.75 亿元、2.11 亿元和 2.78 亿元，2018 年至 2022 年的年均复合增长率为 29.13%。主要原因系基于公司的技术积累和行业口碑的建立， 与客户合作关系日渐巩固，公司参与的多个研制项目陆续进入量产阶段，产品结构 逐渐丰富，不仅拓展了在星载领域产品应用的卫星型号数量，同时在地面、舰载、 车载等应用领域的产品数量亦有所增长。 毛利率方面，2018 年-2022 年，公司相控阵 T/R 芯片销售的毛利率分别为 67.48%、76.67%、76.46%、79.07%和 73.63%，毛利率基本保持稳定，盈利能力较 强。相控阵 T/R 芯片产品毛利率较高。
具体而言，相控阵 T/R 芯片产品为相控阵 雷达的重要组成部分，产品具有集成度高、结构复杂、性能参数指标严苛等特征， 且在产品销售前需经过指标论证、方案设计、初样试样研制、产品定型等多个环 节，研发所需的时间周期较长、前期投入较大。此外，公司相控阵 T/R 芯片核心 产品需满足宇航级要求，有更高一致性和稳定性要求，售价及毛利水平较高。在 上述因素影响下，公司相控阵 T/R 芯片的毛利率较高。2018-2022 年公司技术服 务的毛利率分别为 85.81%、 33.89%、57.39%、54.64%和 35.19%，毛利率波动较 大。主要系公司技术服务高度定制化，受客户需求及项目技术水平差异影响，不 同项目之间毛利率差异较大。
4.2、成本费用分析：研发投入逐年加大
从业务类别来看，相控阵 T/R 芯片成本占比最大。2018-2022 年，公司营业成 本分别为 0.30 亿元、0.31 亿元、0.45 亿元、0.49 亿元和 0.80 亿元。
三费方面，2018 年-2022 年，公司的期间费用合计分别为 2516.75 万元、2561.72 万元、8643.39 万元、5241.98 万元和 6951.56 万元，其中 2020 年包含确认股份支 付的影响。整体上来看，增长幅度远低于总营收增长幅度，三费率呈现逐年减少的 趋势。 研发方面，公司将研发积累和技术创新作为企业发展的重要战略，在研发方面 保持着持续高投入，2018 年-2022 年，公司的研发费用分别为 884.36 万元、872.70 万元、2705.98万元、2978.96万元和4328.26万元，占总营业收入的比例分别为8.86%、 6.58%、15.47%、14.12%和 15.58%，研发投入力度呈现逐年加大态势。
5、盈利预测
收入端 关键假设 1：基于相控阵雷达行业的景气度，预计公司相控阵芯片业务将处于 快速发展阶段，我们假设 2023 年/2024 年/2025 年业务增速分别为 45%/35%/35%。 关键假设 2：成本方面，募投项目建设完毕，伴随着产能逐渐释放，规模效应 下毛利率会逐步 抬升，我 们预计 2023 年/2024 年/2025 年毛利率分别为 73.7%/74.0%/74.1%。 费用端 关键假设 1：随着销售体系的完善及募投项目的稳步推进，预计费用保持相对 稳定，由于收入增速高于费用增速，整体费用率呈下降态势。 基于上述关键假设，我们对公司未来三年业绩做出预测。我们预计公司 2023 年 /2024 年 /2025 年的营业收入分别为 3.96/5.29/7.09 亿元，同比增速为 42.5%/33.6%/33.9%。预计公司 2023 年/2024 年/2025 年归母净利润分别为 1.93/2.55/3.45 亿元，对应增速为 45.4%/32.3%/35.3%。
（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）
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